A pesar de que comenzó a hablarse de ella en 2006 como posible sustituta de los chips actuales basados en el silicio, lo cierto es que es ahora cuando más cerca vemos su inclusión real en el mercado de los dispositivos informáticos.

La memoria PCM (Phase Change Memory) o memoria de cambio de fase está basada en un tipo especial de cristal, cristal calcógeno, compuesto de germanio, antimonio y telurio, capaz de cambiar su estructura o forma debido al  calor.

Así, aplicando pequeños pulsos eléctricos a células aisladas de este cristal amorfo, es posible modificar su morfología con objeto de almacenar datos, ya que al cambiar de forma, también cambia su resistencia eléctrica, propiedad empleada para determinar los estados binarios de cero y uno básicos para generar la memoria.

Ventajas con respecto a los chips de silicio

Su mayor baza es ante todo la velocidad. Este conglomerado amorfo puede superar en miles de veces la velocidad de lectura y escritura de las memorias de hoy día.

Se trata de una memoria no volátil, esto es, mantiene la información aunque no tenga energía, por lo que puede funcionar como dispositivo de almacenamiento similar a los conocidos SSD.

Su tiempo de vida también es mayor: tarda más tiempo en degradarse pues, en teoría, puede alcanzar los 100 millones de ciclos de escritura.

Hito de IBM en 2016

La compañía IBM lleva muchos años experimentando con esta memoria de cambio de fase. En 2001 consiguió almacenar un bit en una celda de memoria. Cinco años después, en 2016 acaba de anunciar que ha logrado almacenar justo el doble: dos bits en una sola celda de memoria. Un avance considerable en la densidad de esta memoria que en el futuro podría sustituir al silicio.

Crédito imagen: IBM Research